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等离子体基于技术是一种强大的方法，可以使用气态、固态和液态前体在任意基片上直接制备垂直异质结。然而，由于低生长速率和相对苛刻的真空环境，这种方法的广泛应用受到了限制。许多材料在高温和低压环境下很难保持其结构稳定。为了克服这些问题，提高等离子体密度是一种有希望的方法。通过提高等离子体密度，可以显著降低生长基片的温度，减轻边缘饱和现象，从而实现与其他材料更好的兼容性和更高的生长速率。